This study provides a detailed analysis of the temperature-dependent electrophysical properties and current-voltage (I-V) characteristics of p-n junction structures based on Silicon (Si) and Gallium Arsenide (GaAs). The investigation spans a temperature range of 0–1000 K, examining key parameters su...
שמור ב:
| Main Authors: | , |
|---|---|
| פורמט: | Article |
| גישה מקוונת: | https://doaj.org/article/1cdd7680beae47c4a4109a38c2173bf5 |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|