This paper presents the findings of a study on the current-voltage characteristics (IVC) and current self-oscillations in n++-p(Si)-p+ structures made from heavily compensated silicon. We observed that the self-oscillations in manganese-doped silicon are linked to the injection of holes. During our...

Повний опис

Бібліографічні деталі

Автори:	Kutub Ayupov, Hayrulla Zikrillaev, Elyor Saitov, Nigora Abdullaeva, Zabarjad Umarkhojayeva, Mirafzal Yakhyayev
Формат:	Стаття
Онлайн доступ:	https://doaj.org/article/896a6f804f214269927656e50dfa679a
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!