This paper presents the findings of a study on the current-voltage characteristics (IVC) and current self-oscillations in n++-p(Si)-p+ structures made from heavily compensated silicon. We observed that the self-oscillations in manganese-doped silicon are linked to the injection of holes. During our...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , , , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | প্রবন্ধ |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://doaj.org/article/896a6f804f214269927656e50dfa679a |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
প্রথমজন হিসাবে মন্তব্য করুন!