This paper presents the findings of a study on the current-voltage characteristics (IVC) and current self-oscillations in n++-p(Si)-p+ structures made from heavily compensated silicon. We observed that the self-oscillations in manganese-doped silicon are linked to the injection of holes. During our...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Hlavní autoři: Kutub Ayupov, Hayrulla Zikrillaev, Elyor Saitov, Nigora Abdullaeva, Zabarjad Umarkhojayeva, Mirafzal Yakhyayev
Médium: Článek
On-line přístup:https://doaj.org/article/896a6f804f214269927656e50dfa679a
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!

Podobné jednotky