This study provides a detailed analysis of the temperature-dependent electrophysical properties and current-voltage (I-V) characteristics of p-n junction structures based on Silicon (Si) and Gallium Arsenide (GaAs). The investigation spans a temperature range of 0–1000 K, examining key parameters su...
Сохранить в:
| Главные авторы: | , |
|---|---|
| Формат: | Статья |
| Online-ссылка: | https://doaj.org/article/1cdd7680beae47c4a4109a38c2173bf5 |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|