This study provides a detailed analysis of the temperature-dependent electrophysical properties and current-voltage (I-V) characteristics of p-n junction structures based on Silicon (Si) and Gallium Arsenide (GaAs). The investigation spans a temperature range of 0–1000 K, examining key parameters su...
-д хадгалсан:
| Үндсэн зохиолчид: | , |
|---|---|
| Формат: | Өгүүллэг |
| Онлайн хандалт: | https://doaj.org/article/1cdd7680beae47c4a4109a38c2173bf5 |
| Шошгууд: |
Шошго нэмэх
Шошго байхгүй, Энэхүү баримтыг шошголох эхний хүн болох!
|