This study provides a detailed analysis of the temperature-dependent electrophysical properties and current-voltage (I-V) characteristics of p-n junction structures based on Silicon (Si) and Gallium Arsenide (GaAs). The investigation spans a temperature range of 0–1000 K, examining key parameters su...
Uloženo v:
| Hlavní autoři: | , |
|---|---|
| Médium: | Článek |
| On-line přístup: | https://doaj.org/article/1cdd7680beae47c4a4109a38c2173bf5 |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
|