This study provides a detailed analysis of the temperature-dependent electrophysical properties and current-voltage (I-V) characteristics of p-n junction structures based on Silicon (Si) and Gallium Arsenide (GaAs). The investigation spans a temperature range of 0–1000 K, examining key parameters su...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục

Những tác giả chính:	Jo`shqin Abdullayev, Ibrokhim Sapaev
Định dạng:	Bài viết
Truy cập trực tuyến:	https://doaj.org/article/1cdd7680beae47c4a4109a38c2173bf5
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!