This study provides a detailed analysis of the temperature-dependent electrophysical properties and current-voltage (I-V) characteristics of p-n junction structures based on Silicon (Si) and Gallium Arsenide (GaAs). The investigation spans a temperature range of 0–1000 K, examining key parameters su...

Повний опис

Бібліографічні деталі

Автори:	Jo`shqin Abdullayev, Ibrokhim Sapaev
Формат:	Стаття
Онлайн доступ:	https://doaj.org/article/1cdd7680beae47c4a4109a38c2173bf5
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!