This study provides a detailed analysis of the temperature-dependent electrophysical properties and current-voltage (I-V) characteristics of p-n junction structures based on Silicon (Si) and Gallium Arsenide (GaAs). The investigation spans a temperature range of 0–1000 K, examining key parameters su...

Full beskrivning

Bibliografiska uppgifter

Huvudupphovsmän:	Jo`shqin Abdullayev, Ibrokhim Sapaev
Materialtyp:	Artikel
Länkar:	https://doaj.org/article/1cdd7680beae47c4a4109a38c2173bf5
Taggar:	Lägg till en tagg Inga taggar, Lägg till första taggen!