This study provides a detailed analysis of the temperature-dependent electrophysical properties and current-voltage (I-V) characteristics of p-n junction structures based on Silicon (Si) and Gallium Arsenide (GaAs). The investigation spans a temperature range of 0–1000 K, examining key parameters su...

Полное описание

Библиографические подробности

Главные авторы:	Jo`shqin Abdullayev, Ibrokhim Sapaev
Формат:	Статья
Online-ссылка:	https://doaj.org/article/1cdd7680beae47c4a4109a38c2173bf5
Метки:	Добавить метку Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!