This study provides a detailed analysis of the temperature-dependent electrophysical properties and current-voltage (I-V) characteristics of p-n junction structures based on Silicon (Si) and Gallium Arsenide (GaAs). The investigation spans a temperature range of 0–1000 K, examining key parameters su...

Szczegółowa specyfikacja

Opis bibliograficzny

Główni autorzy:	Jo`shqin Abdullayev, Ibrokhim Sapaev
Format:	Artykuł
Dostęp online:	https://doaj.org/article/1cdd7680beae47c4a4109a38c2173bf5
Etykiety:	Dodaj etykietę Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!