This study provides a detailed analysis of the temperature-dependent electrophysical properties and current-voltage (I-V) characteristics of p-n junction structures based on Silicon (Si) and Gallium Arsenide (GaAs). The investigation spans a temperature range of 0–1000 K, examining key parameters su...

Πλήρης περιγραφή

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής

Κύριοι συγγραφείς:	Jo`shqin Abdullayev, Ibrokhim Sapaev
Μορφή:	Άρθρο
Διαθέσιμο Online:	https://doaj.org/article/1cdd7680beae47c4a4109a38c2173bf5
Ετικέτες:	Προσθήκη ετικέτας Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!