This study provides a detailed analysis of the temperature-dependent electrophysical properties and current-voltage (I-V) characteristics of p-n junction structures based on Silicon (Si) and Gallium Arsenide (GaAs). The investigation spans a temperature range of 0–1000 K, examining key parameters su...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Hlavní autoři:	Jo`shqin Abdullayev, Ibrokhim Sapaev
Médium:	Článek
On-line přístup:	https://doaj.org/article/1cdd7680beae47c4a4109a38c2173bf5
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!