This study provides a detailed analysis of the temperature-dependent electrophysical properties and current-voltage (I-V) characteristics of p-n junction structures based on Silicon (Si) and Gallium Arsenide (GaAs). The investigation spans a temperature range of 0–1000 K, examining key parameters su...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
Main Authors: Jo`shqin Abdullayev, Ibrokhim Sapaev
פורמט: Article
גישה מקוונת:https://doaj.org/article/1cdd7680beae47c4a4109a38c2173bf5
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים