This study provides a detailed analysis of the temperature-dependent electrophysical properties and current-voltage (I-V) characteristics of p-n junction structures based on Silicon (Si) and Gallium Arsenide (GaAs). The investigation spans a temperature range of 0–1000 K, examining key parameters su...
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակներ: | , |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Հոդված |
| Առցանց հասանելիություն: | https://doaj.org/article/1cdd7680beae47c4a4109a38c2173bf5 |
| Ցուցիչներ: |
Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|